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NTD23N03R
400
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
300
C iss
C rss
C iss
6
Q T
V GS
200
4
Q 1
Q 2
C oss
100
C rss
2
I D = 6 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS 0 V DS
5
10
15
20
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
10
V DS = 10 V
I D = 6 A
V GS = 10 V
t r
t d(off)
10
8
6
4
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
t d(on)
t f
2
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
100
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10
10 m s
1
100 m s
1 ms
0.1
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
10 ms
dc
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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